Optimisé pour l’ultra-haute résolution à très basse tension d’accélération, le MEB à émission de champ Hitachi SU8000 intègre un détecteur de nouvelle génération: le «Top Detector».

L’efficacité de collection du Top Detector à très basse énergie (jusqu’à 100eV) permet de restituer des informations d’extrême surface jamais observées jusqu’ici en microscopie électronique à balayage, telles que des contaminations organiques par exemple.

Résolution garantie sur site:  <1nm à 30kV (en mode STEM) 1nm à 15kV (en mode SE) , 1,4nm à 1kV (en mode SE)
Emission froide
0,1keV à 30keV
X20 à x2.000.000
Echantillons jusqu’à 200mm de diamètre
Détecteurs SE(chambre), SE(in-lens), BSE(in-lens), TOP(in-lens)
Détecteur STEM (Bright Field, Dark Field)

Le MEB analytique "semi in-lens" Hitachi SU-70 associe la haute résolution, particulièrement à basse tension, et la possibilité d'utiliser de forts courants pour les applications qui le nécessitent tels que l'EBSD, le WDS, la lithographie électronique.
 Résolution garantie : 1,0 nm à 15 kV et 1,6 nm à 1 kV
 Emission Schottky
 Tension d'accélération : de 0,1 kV à 30 kV
 Gamme de grandissements : x20 à x800.000
 Echantillons jusqu'à 200mm de diamètre
 Détecteurs SE, BSE "in-lens"
 Détecteur STEM (Bright Field, Dark Field)

Le MEB à émission de champ Hitachi S-4800 "semi in-lens" est optimisé pour la haute résolution à basse tension et à haute tension. C'est le MEB idéal pour l'observation de matériaux fragiles sous le faisceau tels que les polymères, les semi-conducteurs ou plus généralement pour les études liées aux nanotechnologies.
 Résolution garantie sur site : 1,0 nm à 15kV et 1,4 nm à 1 kV
Emission froide
 Tension d'accélération : de 0,1 kV à 30 kV
 Gamme de grandissements : x20 à x800.000
 Echantillons jusqu'à 200mm de diamètre
 Détecteurs SE, BSE "in-lens"
 Détecteur STEM (Bright Field, Dark Field)